盖世汽车讯 9月11日，英飞凌科技股份公司宣布已成功开发出全球首个300毫米功率氮化镓(GaN)晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有可扩展大批量生产环境中掌握这项突破性技术的公司。这一突破将有助于大幅推动基于GaN的功率半导体市场。与200毫米晶圆相比，300毫米晶圆上的芯片生产在技术上更先进，效率也更高，因为更大的晶圆直径可容纳2.3倍的芯片数量。
英飞凌率先推出全球首款300毫米功率氮化镓技术
2024-09-13 12:08
来源：盖世汽车
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